厚膜电路，射频负载，微波电阻批发
陕西华经微电子股份有限公司作为公司主体的国营895厂是国家为跟踪世界电子技术发展和国防建设的需要，投资建设的厚薄膜混合集成电路专业生产厂，先后为我国的人造卫星、飞机、舰船、雷达等研制生产了具有先进水平的厚薄膜混合集成电路，多次受到电子部、陕西省人民政府的表彰奖励，为国防建设做出了巨大的贡献。
厚膜电阻网络（dip、sip型）
70℃时：单个电阻额定功率为0.125w；
额定功率为0.125×（电阻个数）w；
阻值范围：10ω ～10mω、电阻精度 ± 0.1%；
温度系数： tcr≤±200 ppm/℃（≤ ± 50ppm）；
工作温度：-55℃～+125℃ ；
外形尺寸：
单列直插封装式：2.54×(n-1)+2.5(max)
双列直插封装式：[（n/2）-1]×2.54+2.54
厚膜电阻网络（smd型）
电阻精度：±1%；
跟踪精度：≤±0.5%；
端子共面度：≤0.15mm。
厚膜电阻网络（bga型）
70℃时：单个电阻额定功率为0.05w,产品额定功率为1w；
温度系数： tcr≤±200 ppm/℃；
工作温度：-55℃～+125℃；
阻值范围：10ω ～10mω；
电阻值精度：± 1.0%。
厚膜汽车电子——发电机电压调节器芯片
电阻范围：0.1ω—10mω，电阻公差：±1％；
电阻温度系数：
±100ppm／℃ （10ω<r<1mω）；
±200ppm／℃ （0.1ω<r<10ω，1 mω<r<10mω）。
表贴型负载
•特性阻抗： 10 ~ 500 ohms
•基板材料：氧化铝（alo），氧化铍（beo），氮化铝（aln）
•频率范围（frequency）： dc ~ 6 ghz
•功率分级（power）： 10，25，30，50，60，100，150, 250w
法兰型衰减器
基板材料：氧化铝（alo），氧化铍（beo），氮化铝（aln）
频率范围（frequency）： 1ghz，2ghz，3 ghz，4 ghz, 6 ghz
功率范围（power）： 10，20, 60，100，150, 250w
衰减值范围（value）：1 ~ 30db
微片型衰减器
•基板材料：氧化铝（alo），氧化铍（beo），氮化铝（aln）
•采用∏型原理和厚膜工艺技术
同轴衰减器
•sma型：频率范围（frequency）：3ghz，6 ghz，12.4 ghz
•功率范围（power）：0.5，1，2，5，10 ，25，50w
•衰减值范围（value）：1 ~ 50db
n型：频率范围（frequency）：3ghz，6 ghz， 12.4 ghz
•功率范围（power）：0.5，2，5，10，20，50，100，250w
•衰减值范围（value）：1 ~ 50db
bnc型：频率范围（frequency）：1ghz，3ghz
•功率范围（power）：0.5，2，5 w
•衰减值范围（value）：1 ~ 50db
l29型：频率范围（frequency）： 1ghz，3ghz， 6ghz
•功率范围（power）： 2，5 ，10，20，50，100，250w
•衰减值范围（value）： 1 ~ 50db
陕西华经微电子股份有限公司
15902963390
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70℃时：单个电阻额定功率为0.125w；
额定功率为0.125×（电阻个数）w；
阻值范围：10ω ～10mω、电阻精度 ± 0.1%；
温度系数： tcr≤±200 ppm/℃（≤ ± 50ppm）；
工作温度：-55℃～+125℃ ；
外形尺寸：
单列直插封装式：2.54×(n-1)+2.5(max)
双列直插封装式：[（n/2）-1]×2.54+2.54
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电阻精度：±1%；
跟踪精度：≤±0.5%；
端子共面度：≤0.15mm。
厚膜电阻网络（bga型）
70℃时：单个电阻额定功率为0.05w,产品额定功率为1w；
温度系数： tcr≤±200 ppm/℃；
工作温度：-55℃～+125℃；
阻值范围：10ω ～10mω；
电阻值精度：± 1.0%。
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电阻范围：0.1ω—10mω，电阻公差：±1％；
电阻温度系数：
±100ppm／℃ （10ω<r<1mω）；
±200ppm／℃ （0.1ω<r<10ω，1 mω<r<10mω）。
表贴型负载
•特性阻抗： 10 ~ 500 ohms
•基板材料：氧化铝（alo），氧化铍（beo），氮化铝（aln）
•频率范围（frequency）： dc ~ 6 ghz
•功率分级（power）： 10，25，30，50，60，100，150, 250w
法兰型衰减器
基板材料：氧化铝（alo），氧化铍（beo），氮化铝（aln）
频率范围（frequency）： 1ghz，2ghz，3 ghz，4 ghz, 6 ghz
功率范围（power）： 10，20, 60，100，150, 250w
衰减值范围（value）：1 ~ 30db
微片型衰减器
•基板材料：氧化铝（alo），氧化铍（beo），氮化铝（aln）
•采用∏型原理和厚膜工艺技术
同轴衰减器
•sma型：频率范围（frequency）：3ghz，6 ghz，12.4 ghz
•功率范围（power）：0.5，1，2，5，10 ，25，50w
•衰减值范围（value）：1 ~ 50db
n型：频率范围（frequency）：3ghz，6 ghz， 12.4 ghz
•功率范围（power）：0.5，2，5，10，20，50，100，250w
•衰减值范围（value）：1 ~ 50db
bnc型：频率范围（frequency）：1ghz，3ghz
•功率范围（power）：0.5，2，5 w
•衰减值范围（value）：1 ~ 50db
l29型：频率范围（frequency）： 1ghz，3ghz， 6ghz
•功率范围（power）： 2，5 ，10，20，50，100，250w
•衰减值范围（value）： 1 ~ 50db
陕西华经微电子股份有限公司
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