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ic封装基板技术
随着电子产品微小型化、多功能化和信号传输高频高速数字化，要求pcb迅速走向高密度化、高性能化和高可靠性发展。为了适应这个要求，不仅pcb迅速走向hdibum板、嵌入（集成）元件pcb等，而且ic封装基板已经迅速由无机基板（陶瓷基板）走向有机基板（pcb板）。有机ic封装基板是在hdi/bum板的基础上继续‘深化（高密度化）’而发展起来的，或者说ic封装基板是具更高密度化的hdi/bum板。
1 封装基板的提出及其类型
1.1 有机封装基板的提出 封装基板是用于把多个一级（可用二级）封装ic组件再封（组）装形成更大密度与容量 的一种基板。由于这类基板的封装密度很高，因此，其尺寸都不大，大多数为≤50*70mm2 。过去主要是采用陶瓷基板，现在迅速走向高密度pcb封装基板。
（1）陶瓷封装基板。 陶瓷封装基板的应用已有几十年的历史了，基优点是cte较小，导热率较高。但是，随 着高密度化、特别是信号传输高频高速数字化的发展，陶瓷封装基板遇到了严厉的挑战。
① 介电常数这就是说，采用较小的介电常数εr，就可以得到较高的信号传输速度。还有特性阻抗值等问题。
②密度低。l/s≥o.1mm，加上厚度厚、孔径大，不能满足ic高集成度的要求。 ③电阻大。大多采用钼形成的导线，其电阻率（烧结后）比铜大三倍多或更大，发热 量大和影响电气性能。
④基板尺寸不能大，影响密度和容量提高。由于陶瓷基板的脆性大，不仅尺寸不能大，而且生产、组装和应用等都要格外小心。
⑤薄型化困难。厚度较厚，大多数为1mm以上。
⑥成本高。
（2）有机（pcb）基板。
有机（pcb）基板，刚好与陶瓷封装基板相反。
①介电常数εr小（可选择性大，大多用3∽4的材料）。
②高密度化好。l/s可达到20∽50μm，介质层薄，孔径小。
③电阻小。发热低，电气性能好。
④基板尺寸可扩大。大多数为≤70*100mm2 。
⑤可薄型化，目前，双面/四层板，可达到100∽300μm。
⑥成本低。
在1991年，由日本野洲研究所开发的用于树脂密封的倒芯片安装和倒芯片键合（连接）的pcb和hdi/bum板，这些有机封装基板和hdi/bum板等比陶瓷基板有更优越的的有利因素和条件，使它作为ic的裸芯片封装用基板是非常合适的，特别是用于倒芯片（fc）的金属丝的封装上，既解决了封装的cte匹配问题，又解决了高密度芯片的安装的可行性问题。关于pcb基板的cte较大和导热差方面，可以通过改进和选择ccl基材得到较好的解决1.2 ic封装基板的类型 。
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1 封装基板的提出及其类型
1.1 有机封装基板的提出 封装基板是用于把多个一级（可用二级）封装ic组件再封（组）装形成更大密度与容量 的一种基板。由于这类基板的封装密度很高，因此，其尺寸都不大，大多数为≤50*70mm2 。过去主要是采用陶瓷基板，现在迅速走向高密度pcb封装基板。
（1）陶瓷封装基板。 陶瓷封装基板的应用已有几十年的历史了，基优点是cte较小，导热率较高。但是，随 着高密度化、特别是信号传输高频高速数字化的发展，陶瓷封装基板遇到了严厉的挑战。
① 介电常数这就是说，采用较小的介电常数εr，就可以得到较高的信号传输速度。还有特性阻抗值等问题。
②密度低。l/s≥o.1mm，加上厚度厚、孔径大，不能满足ic高集成度的要求。 ③电阻大。大多采用钼形成的导线，其电阻率（烧结后）比铜大三倍多或更大，发热 量大和影响电气性能。
④基板尺寸不能大，影响密度和容量提高。由于陶瓷基板的脆性大，不仅尺寸不能大，而且生产、组装和应用等都要格外小心。
⑤薄型化困难。厚度较厚，大多数为1mm以上。
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（2）有机（pcb）基板。
有机（pcb）基板，刚好与陶瓷封装基板相反。
①介电常数εr小（可选择性大，大多用3∽4的材料）。
②高密度化好。l/s可达到20∽50μm，介质层薄，孔径小。
③电阻小。发热低，电气性能好。
④基板尺寸可扩大。大多数为≤70*100mm2 。
⑤可薄型化，目前，双面/四层板，可达到100∽300μm。
⑥成本低。
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